电感耦合等离子体刻蚀

   电感耦合等离子体（ICP）刻蚀是一种被广泛使用的技术，可提供高速率、高选择比以及低损伤的刻蚀。等离子体能够在低气压下保持稳定，因此能够更好地控制刻蚀形貌。 ICP刻蚀源在低气压下仍可产生高密度的反应粒子。衬底上的直流偏压由一个射频发生器独立控制, 因此可根据工艺要求控制离子能量。

特性

• 高刻蚀速率

• 出色的均匀性

• 低气压下高密度的反应粒子

• 精准的衬底直流偏压控制

• 精准的离子能量控制

• 更宽的电极温度范围 -150ºC至+400ºC