SEC-200RIE 介质刻蚀机
SEC-200RIE Dielectric Etcher
SEC-200RIE为反应离子干法刻蚀机，适用4/6/8英寸介质层干法刻蚀工艺，具有刻蚀速率高和均匀性好，工艺类型覆盖前道和后道所有介质刻蚀。该设备为多腔体设计，各腔体独立控制，全自动并行进行工艺、维护简单、性能稳定、产能高、客户拥有和维护成本低。
设备特性
刻蚀速率快，均匀性好;
多腔体设计，产能高;
基于windows 系统开发软件，UI界面友好;
产品应用
晶圆尺寸: 4/6/8 英寸兼容
适用材料: 氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、单晶硅、多晶硅
适用工艺：接触孔刻蚀、钝化层刻蚀、硬掩模刻蚀、对准标记刻蚀等
适用领域: 集成电路、功率半导体、化合物半导体、科学研究等
